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射頻/等離子源是半導(dǎo)體加工設(shè)備的“心臟”。而半導(dǎo)體加工設(shè)備的工作原理，使其對驅(qū)動(dòng)它的高頻交流源的可靠性、精密度、功率密度、功能性等方面具有非常高的技術(shù)要求,技術(shù)研發(fā)門檻極高。目前我國在該方向的研究積累很薄弱，射頻/等離子體源的技術(shù)主要掌握在美、日、德等少數(shù)國家的少數(shù)廠家中，嚴(yán)重制約了我國集成電路裝備和產(chǎn)業(yè)的自主化和長期發(fā)展，是被“卡脖子”的技術(shù)。為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體加工裝備刻蝕（Etch）設(shè)備和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備中核心部件的國產(chǎn)化替代，開發(fā)能滿足 28—14nm 及更先進(jìn)工藝需求的射頻/等離子源系統(tǒng)。本項(xiàng)目開發(fā)的射頻電源產(chǎn)品不僅具備同步脈沖、調(diào)頻等先進(jìn)功能，同時(shí)具備半導(dǎo)設(shè)備所需要的高穩(wěn)定性、高可靠性特征。項(xiàng)目將完成射頻/等離子源系統(tǒng)的用戶量產(chǎn)驗(yàn)證和產(chǎn)業(yè)化，并進(jìn)入集成電路大規(guī)模生產(chǎn)線。為了創(chuàng)造項(xiàng)目實(shí)施條件，公司在閔行區(qū)浦江鎮(zhèn)建立了2200 平米的研發(fā)中心和中試線，目前產(chǎn)品處于測試驗(yàn)證階段；為了支撐進(jìn)一步的量產(chǎn)規(guī)劃，公司在臨港新片區(qū)規(guī)劃了4300 平米的獨(dú)棟廠房，計(jì)劃于2024 年6月正式啟用。在項(xiàng)目期內(nèi)，擬申請不少于10 篇專利，取得核心自主知識產(chǎn)權(quán)，并在3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)300臺以上的銷售。 【展開】 【收起】